SiC 단결정의 제조 장치 및 SiC 단결정의 제조 방법

APPARATUS FOR PRODUCING SiC SINGLE CRYSTAL AND METHOD FOR PRODUCING SiC SINGLE CRYSTAL

Abstract

SiC 단결정의 제조 장치(10)는, 용액 성장법에 이용된다. SiC 단결정의 제조 장치(10)는, 시드 샤프트(28)와 도가니(14)를 구비한다. 시드 샤프트(28)는, SiC 종결정(32)이 부착되는 하단면(28S)을 갖는다. 도가니(14)는, Si-C 용액(15)을 수용한다. 시드 샤프트(28)는, 통부(28A)와, 바닥부(28B)와, 저열전도성 부재(28C)를 구비한다. 바닥부(28B)는, 통부(28A)의 하단에 배치되고, 하단면(28 S)을 갖는다. 저열전도성 부재(28C)는, 바닥부(28B)의 상면에 배치되고, 바닥부(28 B)의 열전도율보다도 낮은 열전도율을 갖는다. 이 제조 장치에 의해, SiC 종결정의 결정 성장면 내의 온도를 불균일해지기 어렵게 할 수 있다.

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    US-2012160153-A1June 28, 2012Tomokazu Ishii, Hidemitsu Sakamoto, Kazuhiko Kusunoki, Kazuhito KameiAPPARATUS AND METHOD FOR PRODUCTION OF SiC SINGLE CRYSTAL

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