Semiconductor light emitting device

반도체 발광소자

Abstract

본 개시는 반도체 발광소자에 있어서, 제1 반도체층, 제2 반도체층, 및 활성층을 가지는 복수의 반도체층; 제1 전극부; 제2 전극부; 그리고 복수의 반도체층 위에 형성되며, 활성층으로부터의 빛을 반사하는 절연성 반사층;을 포함하며, 제1 전극부와 제2 전극부 중 적어도 하나는: 절연성 반사층 위에 형성된 제1 상부 전극; 제1 상부 전극 아래에서 제1 상부 전극 바깥으로 뻗는 제1 가지 전극; 절연성 반사층을 관통하며 제1 상부 전극과 제1 가지 전극을 연결하는 제1 전기적 연결; 그리고 절연성 반사층을 관통하며 제1 상부 전극과 복수의 반도체층을 전기적으로 연통하되, 제1 가지 전극의 연장선상에서 벗어나 있는 제2 전기적 연결;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자에 관한 것이다.

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Patent Citations (3)

    Publication numberPublication dateAssigneeTitle
    KR-101368720-B1March 03, 2014주식회사 세미콘라이트반도체 발광소자
    KR-101426434-B1August 05, 2014주식회사 세미콘라이트반도체 발광소자를 제조하는 방법
    KR-20120105950-ASeptember 26, 2012서울옵토디바이스주식회사웨이퍼 레벨 발광 다이오드 패키지 및 그것을 제조하는 방법

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